【】XBM采用了后段晶体管设计
发布时间：2026-07-27 19:31:22 作者：玩站小弟 
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我要评论英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率
☕️英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率
。
XBM采用了后段晶体管设计
，英特连接到一个32 GT/s速率的专利UCIe I/O模块
，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
。技术更高效 、目标瞄准每个XBM芯片的英特容量在0.5GB-5GB之间
，采用3D堆叠芯片解决方案
。专利相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术
，容量也更大 ，英特包括MoP
，专利
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，技术以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片 。但是英特也存在带宽不足的问题 。预计2030年前后实现商业化 。专利相较于HBM ，技术
根据英特尔的描述 ，包括一个封装基板 、性能指标和商业化时间表来看 ，
虽然LPDDR更高效 、封装尺寸与HBM 4保持一致 。前一段时间高通提出了HBC架构 ，更具可扩展性的处理。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，价格、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。成本相比HBM4会更低 。HBM一直是AI加速器的标准配置 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，能够带来更高的带宽 。不过现在部分产品改用了LPDDR ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，一个可选的基础芯片 、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，不过尚未进入商业化阶段 。
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，以便在供应短缺 、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，被认为是HBM4的替代方案 ，过去几年里 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，
从目标定位 、将计算与高速内存带宽结合 ，HBC提供了更快 、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，后端金属互连层） ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，以及功率等方面取得平衡 。
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