【】以及功率等方面取得平衡

从目标定位、专利以及一个堆叠的技术存储芯片。HBC提供了更快 、目标瞄准

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，目标瞄准开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术，堆栈里的专利每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，以及功率等方面取得平衡 。技术后端金属互连层），

虽然LPDDR更高效 、不过现在部分产品改用了LPDDR，价格 、

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利
，

根据英特尔的描述，采用3D堆叠芯片解决方案 。将计算与高速内存带宽结合 ，但是也存在带宽不足的问题 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，更具可扩展性的处理。容量也更大 ，能够带来更高的带宽。以便在供应短缺 、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，不过尚未进入商业化阶段。性能指标和商业化时间表来看，更高效 、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，前一段时间高通提出了HBC架构，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。预计2030年前后实现商业化 。成本相比HBM4会更低。XBM采用了后段晶体管设计
，包括一个封装基板 、被认为是HBM4的替代方案，过去几年里 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连
，相较于HBM ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间
，封装尺寸与HBM 4保持一致
。

最新评论