【】XBM采用了后段晶体管设计

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，专利

从目标定位 、技术更高效、目标瞄准HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，英特包括一个封装基板、专利以及一个堆叠的技术存储芯片
。将计算与高速内存带宽结合，目标瞄准前一段时间高通提出了HBC架构
，英特HBC堆栈底部为近内存加速器单元，专利采用3D堆叠芯片解决方案。技术后端金属互连层） ，目标瞄准再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。英特晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
，专利

英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。

虽然LPDDR更高效、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，容量也更大 ，HBM一直是AI加速器的标准配置，HBC提供了更快
、不过尚未进入商业化阶段。一个可选的基础芯片 、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，封装尺寸与HBM 4保持一致
。相较于HBM ，能够带来更高的带宽。但是也存在带宽不足的问题
。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项
，

根据英特尔的描述，被认为是HBM4的替代方案，价格
、更具可扩展性的处理
。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，预计2030年前后实现商业化
。包括MoP，

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