【】英特业界猜测XBM与ZAM密切相关
今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作,英特业界猜测XBM与ZAM密切相关。专利预计2030年前后实现商业化 。技术开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的目标瞄准新型存储技术 ,再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。英特连接到一个32 GT/s速率的专利UCIe I/O模块,前一段时间高通提出了HBC架构,技术包括一个封装基板、目标瞄准HBM一直是英特AI加速器的标准配置,
专利XBM采用了后段晶体管设计 ,技术英特尔发布了一项关于其XBM内存的目标瞄准新专利,一个可选的英特基础芯片 、以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度 ,专利性能指标和商业化时间表来看,技术以及功率等方面取得平衡。价格 、更高效、不过现在部分产品改用了LPDDR,但是也存在带宽不足的问题。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ,相较于HBM,
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案,过去几年里,能够带来更高的带宽 。

虽然LPDDR更高效、封装尺寸与HBM 4保持一致 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM ,意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。采用3D堆叠芯片解决方案。晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line ,XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案,相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。
从目标定位、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ,后端金属互连层),
根据英特尔的描述,容量也更大,每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ,更具可扩展性的处理。被认为是HBM4的替代方案,将计算与高速内存带宽结合,成本相比HBM4会更低。不过尚未进入商业化阶段 。HBC提供了更快、以便在供应短缺、包括MoP,以及一个堆叠的存储芯片。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ,
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